在今年第二季度，智能手机将在市场上推出，搭载Snapdragon 835芯片，其中 小米米6 下周和之后的三星Galaxy S8，仍未在中国正式发布与小米的优先协议。 但与上一代820 SD相比，新的处理器升级是什么？ 让我们在这个小比较中找出答案。
首先，第一个区别在于CPU内核的不同微体系结构和半导体的不同生产工艺，为此我们从14nm扩展到10nm。 在里面SD820 使用的半导体是三星FinFET a 14nm而在SD835 最后一个生产过程用于a 10nm：生产过程在很大程度上决定了芯片消耗的能量水平，因此过程越先进，因此nm数越低，能耗越低。 不用说，在这方面Snapdragon 835
在下图中，您可以看到我们正在讨论的两个处理器的尺寸，以及从28nm（28LP）处开始的前一个CPU的小型综合。
我想到的第二个变化是，CPU内核的数量将从四个Qualcomm 820内核增加到两倍 八个核心 戴尔835，尽管这只是暂时的，因为仅内核数不能提供智能手机芯片的强度。 试想一下，像最新的A10 Fusion这样的Apple A系列CPU只是四核，但性能出色，尤其是在单核测试中。 但是对于高通处理器系列而言，与性能相关的内核数量仍然很重要，并且与后续产品相比，Snapdragon 820在多核测试中处于劣势。 此外，SD835使用的最大频率为2,45GHz，比SD820的频率要宽得多，后者在GPU上也是如此：Adreno 540的最大频率为670MHz，Adreno 530的最大频率为624MHz。第二。
对于移动设备，其性能决定了他们使用，他们用特别苛刻的应用程序，如游戏和上网的基带的行为（从字面上看，基带，无线电设备接口）是非常重要的。 最新的高通835处理器配备了 基带X16 具有最高的下行链路值-编者注：从卫星到接收站的链路-精确到1Gbps，可提供令人印象深刻的性能，而SD820 SoC配备了X12基带，具有600Mbps的下行链路，远远超过了对于4G +网络下的家用手机用户来说足够了。 X16调制解调器的功能可能是，当引入5G并更常用时，它可以被充分利用。
在此比较中要考虑的另一个非常重要的方面是能够快速而安全地为智能手机充电：事实上，新的高通芯片支持 快速充电4.0，其中，取决于做了什么，从大的国际公司发现，在20％充电和30％的效率的增量相比前QC3.0支持dall'SD820提供速度。
总结一下我们的比较，可以肯定地说，新的Snapdragon处理器将比其前身具有更高的消耗效率和更高的性能，但是在日常使用中，即使这样，用户也可能没有意识到两者之间的差异。尚未通过在零售终端上进行全面的性能测试来进行测试。
而你，你会做什么？ 您是否会立即购买带有SD835处理器的新智能手机或等待各种测试的结果？
我有一台OP3T，感觉非常好，我认为它是2016年有史以来最好的智能手机，尽管各种三星LG等都有发展，但2017年它仍然领先于所有人...
821按扣总是让我度过一个非常紧张的晚上，通常有一个很好的30％，我回到23：30的7：早上的00 !!
但是我不得不承认，这个快照835让我感到痒痒，如果要退出OP5，我将会购买到目前为止我所有的Oneplus！
但是已经有了SD820终端，我肯定会等待SD的下一次发展。
但是，优秀的芯片。