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LPDDR5 RAM和UFS 3.0,用于日益强大的智能手机的新技术!

内存技术 他们不断变化和加速。 虽然看起来不像 手机 和GPU,记忆是快速智能手机操作的关键。 初始内存开发后,性能显着提高。

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到现在为止,你一直在寻找更好的摄影,更好的游戏,机器学习,一切都需要大量的记忆和更好的渗透性。 新的存储技术现在已经到来并且是关于内存的 LPDDR5 RAM或UFS 3.0。 这些标准必须比其他标准更快。

LPDDR5 RAM

我们仍在等待最终的规格,但是 LPDDR5与先前类型的存储器一样,设置为增加吞吐量并改善能量消耗。 LPDDR5的吞吐量预计为 6400 Mbps的,比LPDDR100更多4%a 3200 Mbps的。 Tuttavia, LPDDR4 也实现了吞吐量 4266 Mbps的.

LPDDR5有几个时钟,这次使用类似于更快的GDDRP5图形内存的WCK。 但是,LPDDR 5也证实了它的清洁和书写能力 ECC,即使出现错误,也可以随后恢复数据。

内存

LPDDR5 此外,它还侧重于能源的使用,这转化为较低的操作张力。 深度睡眠模式可将电量减少到40%。 LPDDR5应该在下半年开始生产 2018 并将在手机中提供 2019因此,最有可能的新系列顶级产品将配备这项新技术。

UFS 3.0

快速存储与重要存储同等重要 内存 快,假设您想要阅读和存档视频 AR (增强现实)o VR (高品质的虚拟现实)。 UFS迅速取代eMMC内存,这是现代智能手机的标准。 JDEC刚刚发布了官方规范 UFS 3.0.

速度是原来的两倍 UFS 2.0,我们在高端智能手机上找到。 每个部件都可以管理高达11,6 Gbps的数据速率,从5,8 Gbps到UFS 2.0。 数据传输速率为23,2 Gbps。 但是,实际速度会略低于理论最大值。 幸运的是,所有与UFS 3.0兼容的设备都需要支持 HS-G4(11,6 Gbps)和GS-G3(5,8 Gbps),使其明显快于任何UFS 2.0。

内存

新标准 UFS 3.0 它专为高容量存储而设计。 像LPDDR5, Samsung 它也将是第一个提供这种UFS 3.0存储技术的公司。 汽车行业已经开始实施,但在2019中也会出现inegli智能手机。

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